Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования
Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования
Статья
Автор:
Доклады Академии наук: Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Доклады Академии наук: Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования / В. Г. Мокеров, [и др.] // Доклады Академии наук.– 1993.– Том 332, № 5.– С. 575-577.
-- 1. Физика.
Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования / В. Г. Мокеров, [и др.] // Доклады Академии наук.– 1993.– Том 332, № 5.– С. 575-577.
-- 1. Физика.
Привязано к:
Выпуск
Доклады Академии наук Том 332, № 5
1993 г.
ISBN отсутствует
ГБУК СКУНБ им. М.Ю.Лермонтова : ОСН
Доклады Академии наук Том 332, № 5
1993 г.
ISBN отсутствует
ГБУК СКУНБ им. М.Ю.Лермонтова : ОСН