Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном...
Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном...
Статья
Автор:
Доклады Академии наук СССР: Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Доклады Академии наук СССР: Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном возбуждении / А. А. Бугаев, [и др.] // Доклады Академии наук СССР. – 1987. – Т. 296, № 5. – С. 1098-1100.
-- 1. Физика.
Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном возбуждении / А. А. Бугаев, [и др.] // Доклады Академии наук СССР. – 1987. – Т. 296, № 5. – С. 1098-1100.
-- 1. Физика.
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Доклады Академии наук СССР Т. 296, № 5
1987 г.
ISBN отсутствует
ГБУК СКУНБ им. М.Ю.Лермонтова : ОСН
Доклады Академии наук СССР Т. 296, № 5
1987 г.
ISBN отсутствует
ГБУК СКУНБ им. М.Ю.Лермонтова : ОСН